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光刻機(jī)概念17日盤中發(fā)力走高，截至發(fā)稿，紅寶麗、興業(yè)股份漲停，華懋科技漲超8%，聚石化學(xué)、佳先股份、捷捷微電等漲超4%，上海新陽、容大感光等拉升。

消息面上，據(jù)荷蘭政府官網(wǎng)消息，外貿(mào)和發(fā)展部長Reinette Klever于1月15日在政府公報(bào)上宣布，2025年4月1日，荷蘭將修改其針對先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的國家出口管制措施，自該日起，更多類型的技術(shù)將受到國家授權(quán)要求的約束。這項(xiàng)新的授權(quán)要求是自2023年9月1日推出以來，荷蘭第二次修改國家出口管制措施，本次主要是增加了一些限制的設(shè)備品類。

中信證券表示，管制涉及的技術(shù)指標(biāo)與對應(yīng)設(shè)備型號有較為明確的指向性，相較于之前限制的升級有限，尤其是光刻機(jī)的限制措施和2024年9月6日荷蘭政府更新的限制比沒有變化。因此，荷蘭的半導(dǎo)體制裁對國內(nèi)整體短期增量影響有限，但長期或?qū)萍s我國半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)迭代能力。從荷蘭最新的半導(dǎo)體設(shè)備管制清單可以歸納出荷蘭廠商當(dāng)前占有領(lǐng)先地位的、受管制措施影響的相關(guān)領(lǐng)域，是國內(nèi)未來有待突破的方向。核心限制環(huán)節(jié)包括：ArF浸沒式光刻機(jī)、EUV光刻機(jī)，金屬及有機(jī)金屬化合物ALD、Si和SiGe外延、低k介質(zhì)PECVD、鎢/鈷/鉬/釕等金屬CVD/PVD等高端薄膜沉積等。1）光刻領(lǐng)域，關(guān)注國產(chǎn)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈公司；2）薄膜沉積領(lǐng)域；3）量測檢測設(shè)備也是國產(chǎn)化率尚低、有待突破的領(lǐng)域。

校對：呂久彪